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氧化鋅的三大新用途,氧化鋅是可以發(fā)光的,氧化鋅的能帶隙和激子束縛能較大,透明度高,有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能,在半導(dǎo)體領(lǐng)域的液晶顯示器等產(chǎn)品中均有應(yīng)用.

【摘要】:ZnO 是一種新型的ⅡⅥ族化合物半導(dǎo)體材料,同 CaN 一樣,是一種直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體,室溫下禁帶寬度為3.37 eV。ZnO 激子結(jié)合能為60 meV,是 QIN(

關(guān)鍵詞: 氧化鋅 半導(dǎo)體材料 發(fā)光器件材料 抗輻射性能 作者: 葉志鎮(zhèn) 作者單位: 浙江大學(xué)硅材料國家實驗室,浙江,杭州,310027 母體文獻(xiàn): 中國真空

壓敏電阻是一種以氧化鋅ZnO為主要成份的金屬氧化物半導(dǎo)體()。 A、非線性電阻 B、線性電阻 C、非線性電感 D、線性電感點擊查看答案進(jìn)入題庫練習(xí)

氧化鋅是一種新型的ⅡⅥ族直接帶隙寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)特性。室溫下其禁帶寬度為3.37eV,這一特性使它具備了室溫下短波長發(fā)光的有利

以Gan、Sic和Zno為代表的第三代半導(dǎo)體材料 【摘要】:正中國科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司司長趙玉海在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立大會上強

MYGJ高能型壓敏電阻器是以氧化鋅為主要原料的半導(dǎo)體陶瓷元件,其電阻值隨施加電壓的變化而變化。 Type MYGJ varistors are made of semiconductor ceramic material co

氧化鋅半導(dǎo)體材料摻雜技術(shù)與應(yīng)用作者: 葉志鎮(zhèn) ISBN: 出版時間: 出版社: 浙江大學(xué)出版社 下載電子書 亞馬遜購買

圖書分類:工業(yè)技術(shù)—無線電電子學(xué)、電信技術(shù)—半導(dǎo)體技術(shù)—一般性問題—材料 【內(nèi)容簡介】 本書內(nèi)容包括:ZnO的結(jié)構(gòu)、基本性質(zhì)、制備方法ZnO的本性缺陷和非故意摻雜

氧化鋅(ZnO)是一種具有廣泛用途的新型IIVI 族多功能半導(dǎo)體 材料,其室溫禁帶寬度為 3.37eV,激子束縛能60meV,,具有良好電學(xué)和光學(xué)特性,是制備半導(dǎo)體發(fā)

Pd—MoSFET H2、CO、SiH4等 H2、CO、SiH4等 Cl2、H2S等 H2、H2S、NH3、 CO等 非電阻式 金屬/半導(dǎo)體結(jié) Pd—MOS AET FET ZnO等金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器優(yōu)

ZnO 納米半導(dǎo)體材料制備(1) 摘要:文章闡述了一些制備 ZnO 納米半導(dǎo)體材料的常用 技術(shù),如模板制備法、物理氣相沉積、脈沖激光沉積、分子 束外延、金屬

圖書氧化鋅半導(dǎo)體材料摻雜技術(shù)與應(yīng)用 介紹、書評、論壇及推薦 本書理論和實踐相結(jié)合,以作者多年的研究成果為基礎(chǔ),介紹了ZnO半導(dǎo)體薄膜材料的摻

ZnO是一種新型的II–VI族化合物半導(dǎo)體材料,同GaN一樣,是一種直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體,室溫下禁帶寬度為3.37 eV。ZnO激子結(jié)合能為60 meV,是GaN(25

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答案: 本征氧化鋅是一種n型半導(dǎo)體更多關(guān)于氧化鋅用途 半導(dǎo)體的問題>>

氧化鋅俗稱鋅白,是一種重要的陶瓷半導(dǎo)體材料。 氧化鋅俗稱鋅白,是一種重要的陶瓷半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的非線性系數(shù)、壓敏電壓范圍寬(零點幾伏到幾十

寬禁帶半導(dǎo)體ZNO的調(diào)研 姓名:導(dǎo)師: 半導(dǎo)體的發(fā)展 ? ? ? 20 世紀(jì)50 年代,以硅材料為代表的代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管,導(dǎo) 致了以集成電路為核心的微

ZnO 半導(dǎo)體納米材料的研究 目錄 Abstract: 2 Keywords: 3 引言 3 一、 ZnO 納米材料的概況 4 1.1 ZnO 晶體結(jié)構(gòu) 4 1.2 ZnO 納米的結(jié)構(gòu) 5 1.2.1 ZnO