電子元器件行業(yè):寬禁帶半導(dǎo)體一個(gè)新時(shí)代的來(lái)臨_核心內(nèi)參(hxnc)股。發(fā)貼時(shí)間：年月日-山東天岳和瀚天天成;擁有GaN外延片生產(chǎn)能力的有方大集團(tuán)和以三安光電、華燦光電為代表的LED芯片制造商。此外,株洲南車時(shí)代電氣擬建設(shè)英。

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株洲南車時(shí)代:開(kāi)發(fā)新一代碳化硅等前沿技術(shù)-株洲南車時(shí)代,核。年月日-導(dǎo)語(yǔ)在英國(guó)林肯郡落成的研發(fā)由株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司出資打造,將集中現(xiàn)分散于中國(guó)、歐洲的研發(fā)資源開(kāi)發(fā)新一代IGBT、H。

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中國(guó)IGBT企業(yè)另辟蹊徑:力挺新能源應(yīng)用_業(yè)界_科技時(shí)代_新浪網(wǎng)年月日-在本屆PCIM展會(huì)上,南車時(shí)代電氣公司電力電子事業(yè)部向業(yè)界展示了用于機(jī)車牽引和新能源領(lǐng)域的功率器件產(chǎn)品。年,南車時(shí)代電氣并購(gòu)了全球。

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探析:中國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體新時(shí)代的來(lái)臨_打印版_中國(guó)行業(yè)研究網(wǎng)_www。.年月日-第三代半導(dǎo)體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出,有發(fā)展前景。第三代半導(dǎo)體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石,其中。

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南車時(shí)代電氣功率半導(dǎo)體研發(fā)大樓落成剪彩_電氣資訊-百方電氣。年月日-。整合相關(guān)技術(shù)資源,已經(jīng)形成了一個(gè)國(guó)際化、專業(yè)化的功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì),正在開(kāi)展新一代IGBT、新一代HVDC晶閘管和碳化硅技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)。

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中國(guó)碳化硅網(wǎng)正式上線運(yùn)營(yíng)_中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)年月日-株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司電力電子事業(yè)部株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司電力電子事業(yè)部(以下簡(jiǎn)稱電力電子事業(yè)部)是南車時(shí)代電氣下屬的。

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賽米控集團(tuán)考察南車時(shí)代電氣欲合作開(kāi)發(fā)IGBT新產(chǎn)品-企業(yè)新聞-自。年月日-自動(dòng)化企業(yè)新聞賽米控國(guó)際集團(tuán)運(yùn)營(yíng)官HaraldJaeger一行四人來(lái)南車時(shí)代公司考察調(diào)研,關(guān)注在IGBT芯片、封裝領(lǐng)域的合作前景。南車時(shí)代。

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年~株洲南車時(shí)代電氣公司功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室暨碳化硅基地。株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室暨碳化硅基地產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目鍋爐設(shè)備項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件,招標(biāo)人株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司現(xiàn)對(duì)該項(xiàng)目所需貨物。

突破第三代碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)現(xiàn)材料強(qiáng)國(guó)夢(mèng)-新華網(wǎng)年月日-在當(dāng)前科技創(chuàng)新、科技強(qiáng)國(guó)的時(shí)代,以碳化硅半導(dǎo)體為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和開(kāi)發(fā)已經(jīng)得到世界各國(guó)的高度重視。由于碳化硅半導(dǎo)。

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株洲南車時(shí)代電氣牽手湖南科技大學(xué)__技術(shù)專題_中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)年月日-成立于年的南車時(shí)代電氣是一家上市公司,主要從事軌道交通裝備電傳動(dòng)系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)控制、變流器、城市智能交通系統(tǒng)等產(chǎn)品的研發(fā)、制造、銷。

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